1950년대 소재가 초고속 칩 부문에서 현대 기록을 세웠습니다
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연구원들은 현재까지의 어떤 실리콘 호환 소재보다 전하가 더 빠르게 이동할 수 있도록 실리콘 위에 변형 게르마늄 층을 설계했습니다. 이러한 기록적인 이동성은 더 시원하고 빠르며 에너지 소비를 크게 낮추는 칩으로 이어질 수 있습니다. 이번 발견은 또한 실리콘 기반 양자 장치의 전망을 향상시킵니다.
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연구원들은 현재까지의 어떤 실리콘 호환 소재보다 전하가 더 빠르게 이동할 수 있도록 실리콘 위에 변형 게르마늄 층을 설계했습니다
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정리
이러한 기록적인 이동성은 더 시원하고 빠르며 에너지 소비를 크게 낮추는 칩으로 이어질 수 있습니다
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